FGB5N60UNDF, БТИЗ транзистор, 10 А, 1.9 В, 73.5 Вт, 600 В Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБТИЗ Одиночные
FGB5N60UNDF, БТИЗ транзистор, 10 А, 1.9 В, 73.5 Вт, 600 В
168,30 ₽
Описание
Детали
| Бренд | ON SEMICONDUCTOR |
|---|---|
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 600в |
| Стандарт Корпуса Транзистора | TO-263AB |
| Рассеиваемая Мощность | 73.5Вт |
| DC Ток Коллектора | 10а |
| Наименование | FGB5N60UNDF, БТИЗ транзистор, 10 А, 1.9 В, 73.5 Вт, 600 В, TO-263AB, 3 вывод(-ов) |





