В России разработали устройство для создания микроэлектроники С помощью которого можно внедрять металлические примеси в кремниевые пластины

Новосибирские учёные совершили прорыв в микроэлектронике, создав первое в России устройство для производства современных микрочипов. Команда Института ядерной физики СО РАН разработала уникальный ионный источник, который позволяет наносить специальные примеси на кремниевые пластины с высокой точностью. Это изобретение может стать ключевым элементом для развития отечественной микроэлектронной промышленности.

Разработанное устройство использует особую технологию с остроконечной структурой магнитного поля, что делает его универсальным для работы с ионными пучками любой ширины. Первые испытания прошли успешно и показали отличные результаты в равномерности нанесения примесей. В институте специально создали молодёжную лабораторию, объединившую специалистов разных направлений — от физики плазмы до силовой электроники.

Руководитель проекта Сергей Константинов отметил, что команда достигла впечатляющих результатов в равномерности работы устройства. Новая технология уже привлекла внимание ведущих производителей микроэлектроники — институт начал сотрудничество с предприятиями Зеленограда для создания полностью отечественных систем производства микрочипов. Разработчики продолжают улучшать характеристики устройства под конкретные производственные задачи.

Generic filters
Exact matches only

Показать все

Generic filters
Exact matches only

Показать все